Firma Samsung Electronics potwierdziła rozpoczęcie masowej produkcji dysków półprzewodnikowych (SSD) NVMe z interfejsem PCIe o pojemności 3,2 TB, opartych na technologii pamięci flash typu 3D V-NAND (Vertical NAND), zaprojektowanych z myślą o wysokiej klasy systemach serwerowych dla przedsiębiorstw. Nowe dyski SSD NVMe PCIe, SM1715, wykorzystują opracowaną przez Samsung technologię 3D V-NAND, dopasowaną do standardu HHHL (Half-Height, Half-Length),
oferując 3,2 TB pamięci do przechowywania danych – dwukrotnie więcej niż poprzednie dyski SSD NVMe o najwyższej gęstości zapisu, wynoszącej 1,6 TB.
Rozpoczynając masową produkcję dysków SSD NVMe opartych na technologii V-NAND, oferującej najwyższą wydajność i gęstość zapisu wśród pamięci dostępnych obecnie na rynku, oczekujemy zwiększenia naszego udziału w rynku dysków półprzewodnikowych o wysokiej gęstości zapisu – oświadczył Jeeho Baek, wiceprezes, Memory Marketing, Samsung Electronics – W przyszłości firma Samsung planuje aktywnie wprowadzać na rynek oparte na technologii V-NAND dyski SSD o jeszcze większej wydajności, gęstości i niezawodności, zapewniając swoim klientom na całym świecie konkurencyjną przewagę.
Dysk SM1715 to udoskonalona wersji Samsung XS1715, wyróżniająca się większą wydajnością i niezawodnością. Na początku bieżącego roku, podczas targów Flash Memory Summit 2014, 2,5-calowy dysk XS1715 został wyróżniony nagrodą „Best of Show Award” w kategorii najbardziej innowacyjnych technologii pamięci flash.
Dysk SSD NVMe o pojemności 3,2 TB zapewnia prędkość odczytu sekwencyjnego wynoszącą 3000 megabajtów na sekundę (MB/s) oraz prędkość zapisu sekwencyjnego wynoszącą 2200 MB/s. Przy odczycie losowym prędkość wynosi 750 000 IOPS (operacji wejścia-wyjścia na sekundę), natomiast prędkość zapisu losowego to 130 000 IOPS. Ponadto charakteryzuje się wyjątkową niezawodnością, zapewniając 10 DWPD (zapisów pełnego dysku dziennie) przez pięć lat.
Pamięć SM1715 jest dostępna w wersji o pojemności 1,6 TB oraz 3,2 TB.